日本napson溫度控制兼容高溫4探頭電阻計(jì)

產(chǎn)品特點(diǎn)

?在室溫至醉高600℃的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)溫度，并自動(dòng)逐步測量電阻。

?包括真空控制，惰性氣體替換控制，加熱臺(tái)，水冷式冷卻器，測量單元溫度計(jì)，氣體流量計(jì)，真空計(jì)等。

?如果支持醉高120℃，則可以將其定制為半自動(dòng)機(jī)器（面內(nèi)多點(diǎn)測量/映射測量）。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

φ10mm或5X10mm?35X35mm 
[*樣品室中的樣品大小。其他尺寸請聯(lián)系我們]

測量范圍

[電阻（比電阻）]10μ-100kΩ? cm

產(chǎn)品特點(diǎn)

?在室溫至醉高600℃的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)溫度，并自動(dòng)逐步測量電阻。

?包括真空控制，惰性氣體替換控制，加熱臺(tái)，水冷式冷卻器，測量單元溫度計(jì)，氣體流量計(jì)，真空計(jì)等。

?如果支持醉高120℃，則可以將其定制為半自動(dòng)機(jī)器（面內(nèi)多點(diǎn)測量/映射測量）。

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 其他（*請與我們聯(lián)系）

測量尺寸

φ10mm或5X10mm?35X35mm 
[*樣品室中的樣品大小。其他尺寸請聯(lián)系我們]

測量范圍

[電阻（比電阻）]10μ-100kΩ? cm

日本napson溫度控制兼容高溫4探頭電阻計(jì)