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產(chǎn)品資料
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日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置

產(chǎn)品名稱: 日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置
產(chǎn)品型號: NC-10(NC-20)
產(chǎn)品特點: 日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置
使用個人計算機節(jié)省空間,易于操作和數(shù)據(jù)處理
由于它是一種非接觸式渦流方法,因此可以進行測量而不會損壞它。
由于探頭是可拆卸和可更換的,因此可以方便地用每個量程的探頭進行替換。
(*對第二個和后續(xù)電阻探頭的可選支持)
中心1點測量
厚度/溫度補償功能(硅晶片)

日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置 的詳細介紹

日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置

 

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請與我們聯(lián)系)

 

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米)

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)(硅,多晶硅,SiC等)
 新材料/功能材料相關(guān)(碳納米管,DLC,石墨烯,銀納米線等)
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)(金屬,ITO等)
 硅基外延,離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
 其他(*請與我們聯(lián)系)

 

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
(可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米)

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
(*所有探頭類型的總范圍/厚度500um)
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
(*所有探頭類型的總范圍)

 

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍,請參閱以下內(nèi)容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-??cm)
(4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)

日本napson計算機操作非接觸電阻測量裝置

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