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產(chǎn)品資料
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日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置

產(chǎn)品名稱(chēng): 日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置
產(chǎn)品型號(hào): RG-100PV
產(chǎn)品特點(diǎn): 日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置
玻璃基板上薄膜的四探針?lè)ò胱詣?dòng)測(cè)量?jī)x
XY軸機(jī)構(gòu)臺(tái)
平面內(nèi)多點(diǎn)測(cè)量配備了均勻螺距或隨機(jī)螺距設(shè)置選擇以及2-D ??/ 3-D映射軟件。

日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置 的詳細(xì)介紹

日本napson平板電阻薄層電阻測(cè)量半自動(dòng)裝置

 

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線(xiàn)等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
  • 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）

 

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm 
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

  • 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅，SiC等）
  • 新材料/功能材料（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線(xiàn)等）
  • 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
  • 擴(kuò)散樣品硅基薄膜（LTPS等），IGZO
  • 硅基外延離子注入樣品
  • 與化合物半導(dǎo)體有關(guān)的（GaAs，Epi，GaN，Epi，InP，Ga等）
  • 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

大300 x 300毫米（選件;大500 x 500毫米）

 

測(cè)量范圍

[電阻（比電阻）] 1m至200Ω·cm 
[片電阻] 1m至1,000kΩ/ sq（選件；?10MΩ/ sq）

映射圖像

  • 半自動(dòng)類(lèi)型<br />（多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）
  • 半自動(dòng)類(lèi)型<br />（多點(diǎn)測(cè)量系統(tǒng)[包括軟件+ PC]）

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