高純度粉體制備
• 以鈦酸鋇、氧化鋁等陶瓷粉體為起點(diǎn)，村田采用自主開(kāi)發(fā)的“從材料出發(fā)"策略，通過(guò)精確控制粉體粒徑、形貌與雜質(zhì)含量（Al≤0.012 ppm、Fe≤0.0003 ppm），確保后續(xù)燒結(jié)體的高致密度與高Q值。
• 粉體加工環(huán)節(jié)引入濕法分級(jí)與低溫干燥，實(shí)現(xiàn)窄分布、低團(tuán)聚，為后續(xù) MEMS 結(jié)構(gòu)提供均一原料。

3D-MEMS 微結(jié)構(gòu)成型
• 采用單晶硅片與玻璃陽(yáng)極鍵合形成 3D 空腔結(jié)構(gòu)，通過(guò)深反應(yīng)離子刻蝕（DRIE）一次性雕刻出梳齒、懸臂等可動(dòng)微結(jié)構(gòu)。
• 在 800–1000 °C 的真空燒結(jié)過(guò)程中，陶瓷粉體與硅結(jié)構(gòu)同步收縮，形成無(wú)應(yīng)力界面，保證長(zhǎng)期穩(wěn)定性。

多層共燒與密封封裝
• 利用村田專有的“平面構(gòu)造氧化鋁基板＋金屬帽"封裝技術(shù)，將 MEMS 芯片、電容器、電阻網(wǎng)絡(luò)一次性共燒，實(shí)現(xiàn)多層布線（層間通孔≤50 μm）。
• 封裝體通過(guò)顆粒篩選工藝（缺陷<0.001 ppm）與熱沖擊測(cè)試（-55 °C?125 °C循環(huán)），焊接裂紋壽命提升 20 點(diǎn)以上。

性能驗(yàn)證與量產(chǎn)
• 在粉體-器件一體化生產(chǎn)線上，每片晶圓進(jìn)行全檢：電容偏差<±1 %、翹曲<20 μm。
• 依托 SiP（System in Package）技術(shù)，將傳感器、ASIC 及無(wú)源元件封裝成 2.0 mm×1.25 mm 的小體積模塊，滿足汽車(chē)、醫(yī)療等嚴(yán)苛場(chǎng)景。